• 符合开放NAND闪存接口1.0规范
• 采用单层单元技术
• 组织架构
• x8位宽页大小：2176字节（2048 + 128字节）
• 块大小：64页（128K + 8K字节）
• 平面大小：2个平面，每个平面1024个块
• 器件容量：2Gb：2048个块
• 异步输入/输出性能
• tRC/tWC：20ns/20ns（3.3V），30ns/30ns（1.8V）
• 阵列性能
• 读页时间：25μs
• 编程页时间：200μs（典型值，3.3V/1.8V）
• 擦除块时间：2ms（典型值）
• 命令集：ONFI NAND闪存协议
• 高级命令集
• 编程页缓存模式
• 读页缓存模式
• 永久块锁定（块47:0）
• 一次性可编程模式
• 块锁定
• 可编程驱动强度
• 双平面命令（仅在ECC关闭时可用）
• 读取标识符
• 内部数据搬移
• 操作状态字节提供检测以下状态的软件方法
• 操作完成
• 通过/失败状态
• 写保护状态
• 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
• WP信号：写保护整个器件
• 出厂时块7-0在启用ECC的情况下有效。关于最低要求的ECC，请参见错误管理。
• 上电后需要将复位命令作为第一条命令
• 上电后器件初始化的替代方法（联系工厂）
• 支持在读取数据的平面内进行内部数据搬移操作
• 质量和可靠性
• 耐久性：100,000次编程/擦除循环
• 数据保持：符合JESD47G标准；参见认证报告
• 其他：未循环数据保持：在85°C下10年，24/7运行
• 工作电压范围
• VCC：2.7 - 3.6V
• VCC：1.7 - 1.95V
• 工作温度：
• 工业级：-40°C 到 +85°C
• 封装
• 48引脚TSOP类型1，中心分模线

• 63球VFBGA

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