这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与其他具有类似漏源导通电阻（RDS(on)）规格的MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

• VDS = -60V, ID = -50A
• RDS(ON) < 28 m Ω @ VGS = -10 V
• 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
• 雪崩电压和电流特性完全表征
• 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
• 出色的封装,散热性能良好