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IS62WV51216BLL-55TLI TSSOP-44 RAM 存储芯片IC 贴片 原装现货
  • 25-12-29 11:03
  • 恒科翔业
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产品特性

高速存取时间：45ns，55ns

CMOS低功耗运行
– 典型运行功耗：36 mW
– 典型CMOS待机功耗：12 µW

TTL兼容接口电平

单电源供电
– VDD范围：1.65V--2.2V（型号62WV51216ALL）
– VDD范围：2.5V--3.6V（型号62WV51216BLL）

完全静态操作：无需时钟或刷新

三态输出

独立控制高字节/低字节数据

提供工业级温度规格

提供无铅封装选项

产品描述
ISSI公司的IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织架构为512K字×16位。该器件采用ISSI的高性能CMOS工艺制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的产品。

当CS1为高电平（未选中）、或CS2为低电平（未选中）、或CS1为低电平且CS2为高电平但LB和UB均为高电平时，器件进入待机模式，在此模式下配合CMOS输入电平可显著降低功耗。

通过使用芯片使能（Chip Enable）和输出使能（Output Enable）输入，可轻松实现存储器容量扩展。低电平有效的写使能（WE）信号控制存储器的读写操作。高字节（UB）和低字节（LB）控制信号支持按字节访问。

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL提供JEDEC标准的48引脚微型BGA封装（7.2mm x 8.7mm）和44引脚TSOP（TYPE II）封装。

如有需求，可联系13691998603黄小姐      企业QQ：2852892045  企业微信：13691998603

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