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BSS127S-7 分立半导体产品 晶体管 MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
  • 25-12-09 10:30
  • 恒科翔业
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商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id) 70mA
导通电阻(RDS(on)) 160Ω@10V
耗散功率(Pd) 1.25W
阈值电压(Vgs(th)) 4.5V@250uA
栅极电荷量(Qg) 1.08nC@10V
输入电容(Ciss) 21.8pF@25V
反向传输电容(Crss) -
工作温度 -55℃~+150℃
类型 N沟道
输出电容(Coss) -

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