属性

参数值

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MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）

20V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）

4.5A

栅源极阈值电压

1.2V @ 250uA

漏源导通电阻

33mΩ @ 4.5A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）

1.25W

类型

N沟道