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CJ3400 丝印RO 封装SOT-23 N沟道 30V/5.8A贴片MOSFET场效应管
  • 25-06-17 17:36
  • 恒科翔业
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商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 5.8A
导通电阻(RDS(on)) 52mΩ@2.5V,4A
耗散功率(Pd) 350mW
阈值电压(Vgs(th)) 1.4V@250uA
栅极电荷量(Qg) 
输入电容(Ciss) 1.05nF
反向传输电容(Crss) 77pF
工作温度 -
类型 N沟道
输出电容(Coss) 66pF

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