赛普拉斯® S29GL01G/512/256/128S系列是基于65纳米MirrorBit® Eclipse技术的闪存产品。这些器件具备快速页面访问能力（最快15 ns）及相应的随机访问时间（最快90 ns）。其内置写入缓冲区支持单次操作编程最多256字/512字节，相比标准编程算法显著提升有效编程速度，因此非常适合需要高密度、高性能和低功耗的现代嵌入式应用。

显著特性

• CMOS 3.0伏核心与灵活I/O

• 65纳米MirrorBit Eclipse技术

• 单一电源供电（VCC）：支持读/编程/擦除操作（2.7 V至3.6 V）

• 灵活I/O特性：

  • 宽I/O电压范围（VIO）：1.65 V至VCC

• 16位数据总线

• 异步32字节页面读取

• 512字节编程缓冲区：

• 支持以页面倍数编程，最多512字节

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